Міністерство освіти і науки України
Національний університет “Львівська політехніка”
Звіти
про виконання лабораторних робіт
з дисципліни:
„аналогові та електронні пристрої”
Ст. гр. РТ-31
Львів – 2002 р.
Лабораторна робота №1
Дослідження емітерного та витікового повторювачів.
Мета роботи: Дослідження принципів роботи емітерного і витікового повторювачів, знайомство з основами розрахунку та експериментальне дослідження їх частотних властивостей.
Теоретичні відомості.
Схеми емітерного та витікового повторювачів використовують відповідно ввімкнення біполярного транзистора по схемі із спільним колектором і польовий транзистор ввімкнений по схемі із спільним стоком.
Схеми повторювачів використовують ВЗЗ послідовний за напругою. Електрична принципова схема емітерного повторювача приведена на мал 1.
Мал 1. Електрична принципова схема емітерного повторювача.
Експериментальна частина.
1) Знімаємо АЧХ емітерного та витікового повторювачів в діапазоні частот f=(0,1..100) кГц. F0=1 кГц. Результати вимірювань заносимо в таблицю.
F, кГц
0,2
0,5
1
5
10
50
100
150
200
ЕП
Uвих
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
Y
1
1
1
1
1
1
1
1
1
ВП
Uвих
7
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
Y
0.98
1
1
1
1
1
1
1
1
Y=Uвих/Uвих 0
Uг=1 В Uвх=0.35 В Rвх=1.05 Ом Rг=100 кОм
2) Як бачимо з таблиці АЧХ ЕП та ВП в діапазоні частот (0,2..200) кГц є рівномірною.
3) Визначаємо вхідний опір ЕП на f = 1 кГц із системи р-нь.
I=Uг/(Rг+Rвх) I (Rг+Uвх/I)=Uг I Rг+Uвх=Uг
Rвх=Uвх/I
I=(Uг-Uвх)/Rг=(1-0.35)/100=0.0065 А Rвх = 0.35/0.0065 = 53.85 Ом
Висновки: В процесі виконання роботи ми були ознайомлені із приниповою схемою, основами розрахунку та провели експериментальні дослідження.
На основі експериментальних даних можна робити висновки, що АЧХ емітерного повторювача та витікового повторювача в діапазоні частот – лінійна.
В процесі виконання роботи були зняті амплітудно-частотні характеристики емітерного і витікового повторювачів та виміряний вхідний опір емітерного повторювача.
На основі даних експериментальних досліджень можна зробити висновок:
що амплітудно-частотна характеристика ЕП і ВП в заданому діапазоні частот лінійна;
Rвх = 53.85 Ом на частоті f = 1.5 кГц
Лабораторна робота №2.
Дослідження АЧХ реостатно-ємнісного каскаду.
Мета роботи: знайомство з електричною принциповою схемою, основними розрахунками АЧХ за еквівалентною схемою та експериментальне дослідження підсилювального RC каскаду.
Теоретичні відомості.
Для аналізу АЧХ каскаду приводять його еквівалентну схему. Із загальної еквівалентної схеми для області НЧ, СЧ та ВЧ виводять три окремі еквівалентні схеми шляхом макетування впливу реактивних елементів в тій чи іншій області частот.
Підсилювальний RC каскад включає схему ввімкнення біполярного транзистора в схемі із спільним емітером.
Дослідження АЧХ каскаду проводиться окремо для області НЧ, СЧ, ВЧ за еквівалентними схемами.
При переході з однієї області в іншу в загальній схемі каскаду нехтують впливами окремих реактивних елементів.
Електрична принципова схема RC каскаду показана на мал 1.
Мал 1. Електрична принципова схема RC каскаду.
Еквівалентна схема RC каскаду показана на мал 2.
Мал 2. Еквівалентна схема RC каскаду.
В області СЧ впливом реактивних елементів нехтують.
Експериментальна частина.
Зняти АЧХ в діапазоні частот 0,1÷200 кГц для оцінки впливу в області НЧ конденсатора Се.
Оцінити вплив СR2 в області НЧ.
Повторити вимірювання з п.2 з метою оцінки впливу C0 в області ВЧ.
1) АЧХ в діапазоні частот 0,01÷200 кГц
f, кГц
0,01
0,1
1
100
200
Uвих, кл
3,75
4
4
4
3
Y
0,94
1
1
1
0,75
Вплив конденсатора Се на АЧХ в області НЧ
f, кГц
0,04
0,1
1
Uвих, кл
1,2
2,2
4
Y
0,3
0,55
1
Без конденсатора Се
fнзр=35 Гц
f, кГц
0,2
0,3
1
Uвих, кл
3,7
4,3
6
Y
0,6
0,7
1
fнзр=250 Гц
Конденсатор Се спричинює завал в області НЧ (250 Гц)
2) Вплив конденсатора СR2 на АЧХ в області НЧ
f, кГц
0,04
0,1
1
Uвих, кл
1,2
2,2
4
Y
0,3...
